FL 9BW
FL 9BW 是鑫圖針對長曝光應(yīng)用開發(fā)的新一代深度制冷CMOS相機(jī)。它采用索尼新一代的背照式CMOS芯片技術(shù)和鑫圖先進(jìn)制冷密封工藝、圖像降噪技術(shù)聯(lián)合打造,不僅長曝光關(guān)鍵性能達(dá)到了深度制冷CCD的水平,還同時(shí)具有現(xiàn)代CMOS高靈敏度、高速、高動(dòng)態(tài)等性能特征,可以完全替代制冷CCD長曝光應(yīng)用。
FL 9BW暗電流已低至0.0005 e-/p/s, 制冷深度可達(dá)-25℃,關(guān)鍵性能達(dá)到了深度制冷CCD相當(dāng)?shù)乃健T趡10分鐘長曝光的條件下,F(xiàn)L 9BW仍能獲取高信噪比(SNR)的圖像,且在正常曝光時(shí)間內(nèi) (60分鐘),信噪比都優(yōu)于695 CCD。
FL 9BW同時(shí)集成了索尼芯片優(yōu)異的輝光抑制能力和鑫圖先進(jìn)圖像降噪處理技術(shù),基本杜絕了邊角亮光、壞點(diǎn)像素等不良制程因素對正常信號的干擾,成像背景均一,更適合定量分析應(yīng)用。
FL 9BW采用索尼新一代背照式科學(xué)級CMOS芯片,不僅長曝光性能和CCD相當(dāng),峰值量子效率高達(dá)92%,讀出噪聲僅0.9 e-,弱光成像能力碾壓CCD,動(dòng)態(tài)范圍更是傳統(tǒng)CCD的4倍以上,綜合成像性能十分優(yōu)越。
請登錄下載此文件。
登錄